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MMBT6427LT1G
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
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| 10500+ | € 0,0203 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT6427LT1G
Bestellnummer1459110RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung225mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
MMBT6427LT1G ist ein NPN-Darlington-Bipolartransistor, der für den Einsatz in Schaltanwendungen wie Typenhammern, Relais, Magnetspulen und Lampentreibern ausgelegt ist. Das Gehäuse eignet sich für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme.
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
500mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung