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MMBT918LT1G
Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,0391 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT918LT1G
Bestellnummer2441383
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Übergangsfrequenz600MHz
Verlustleistung225mW
Dauerkollektorstrom50mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBT918LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
600MHz
Dauerkollektorstrom
50mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
225mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung