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MMBTH10LT1G
Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBTH10LT1G
Bestellnummer1459112RL
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Übergangsfrequenz650MHz
Verlustleistung225mW
Dauerkollektorstrom4mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBTH10LT1G ist ein NPN-Silizium-VHF/UHF-Transistor für Anwendungen, die eindeutige Site- und Control Change-Anforderungen benötigen. Dieser Transistor ist PPAP-fähig und qualifiziert gemäß AEC-Q101.
- Halogenfrei
Anwendungen
HF-Kommunikation, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
650MHz
Dauerkollektorstrom
4mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
225mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000309
Produktnachverfolgung