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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBZ5230BLT1G
Bestellnummer1431235
ProduktpaletteMMBZ52xxBLT1G
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
5+ | € 0,0952 |
10+ | € 0,0505 |
100+ | € 0,0257 |
500+ | € 0,0228 |
1000+ | € 0,021 |
5000+ | € 0,014 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBZ5230BLT1G
Bestellnummer1431235
ProduktpaletteMMBZ52xxBLT1G
Technisches Datenblatt
Zener-Spannung, nom.4.7V
Verlustleistung225mW
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteMMBZ52xxBLT1G
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Die Produktreihe MMBZ52xxBLT1G umfasst Zener-Dioden zur Spannungsregelung mit minimalem Platzbedarf. Diese Dioden sind zur Oberflächenmontage ausgelegt und eignen sich hervorragend für Anwendungen wie Mobiltelefone, tragbare Geräte und Leiterplatten mit hoher Bestückungsdichte.
- Nennleistung: 225mW auf FR-4- oder FR-5-Board
- Kompaktes Gehäuse für Anwendungen mit hoher Bestückungsdichte
- ESD-Schutz: Klasse 3 (<gt/>16kV) nach HBM
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Pb-, halogen-/BFR-frei
Anwendungen
Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
4.7V
Bauform - Diode
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
MMBZ52xxBLT1G
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Verlustleistung
225mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008