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MSA1162GT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,105 |
| 10+ | € 0,0655 |
| 100+ | € 0,0413 |
| 500+ | € 0,0308 |
| 1000+ | € 0,0251 |
| 5000+ | € 0,0246 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMSA1162GT1G
Bestellnummer2724361
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSC-59
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz80MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SC-59
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
80MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00007
Produktnachverfolgung