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MUN5211DW1T1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMUN5211DW1T1G
Bestellnummer2317633RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung385mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MUN5211DW1T1G ist ein zweifacher, digitaler NPN-Bipolartransistor, der einen einzelnen Baustein und dessen externes Widerstands-Bias-Netzwerk ersetzen kann. Dieser BRT umfasst einen einfachen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Basiswiderstand (Reihe) und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Da der BRT diese Bauelemente in einem einzigen Baustein vereint, sind sie nicht mehr separat erforderlich.
- Vereinfacht das Schaltungsdesign
- Weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte
- Reduziert die Anzahl an Bauelementen
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
385mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MUN5211DW1T1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
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