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MUN5214DW1T1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,209 |
| 10+ | € 0,121 |
| 100+ | € 0,0819 |
| 500+ | € 0,0552 |
| 1000+ | € 0,0455 |
| 5000+ | € 0,0333 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMUN5214DW1T1G
Bestellnummer2464151
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R247kohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung385mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
47kohm
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
385mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MUN5214DW1T1G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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