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NCP51530ADR2G
MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,850 |
| 10+ | € 1,750 |
| 25+ | € 1,650 |
| 50+ | € 1,550 |
| 100+ | € 1,450 |
| 250+ | € 1,350 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCP51530ADR2G
Bestellnummer2895676
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle-
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHigh-Side und Low-Side
LeistungsschalterMOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
Eingang-
Quellstrom3.5A
Sinkstrom3A
Versorgungsspannung, min.10V
Versorgungsspannung, max.17V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung60ns
Ausgabeverzögerung60ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
-
Treiberkonfiguration
High-Side und Low-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
3.5A
Versorgungsspannung, min.
10V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
60ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
-
Sinkstrom
3A
Versorgungsspannung, max.
17V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
60ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung