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NCV57201DR2G
Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 1,010 |
| 250+ | € 0,797 |
| 500+ | € 0,737 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV57201DR2G
Bestellnummer3677695RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHalbbrücke
LeistungsschalterIGBT
Bauform - TreiberNSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformNSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom1.9A
Sinkstrom2.3A
Versorgungsspannung, min.-
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung70ns
Ausgabeverzögerung70ns
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q100
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
Halbbrücke
Bauform - Treiber
NSOIC
IC-Gehäuse / Bauform
NSOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
2.3A
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
70ns
Qualifikation
AEC-Q100
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
IGBT
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
1.9A
Versorgungsspannung, min.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
70ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0112
Produktnachverfolgung