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NCV8405ASTT3G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 6 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 4000+ | € 0,466 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 4000
Mehrere: 4000
€ 1.864,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV8405ASTT3G
Bestellnummer3616333
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds42V
Dauer-Drainstrom Id6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.1ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung1W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
42V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.1ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung