Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | |
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5+ | € 0,409 |
10+ | € 0,235 |
100+ | € 0,143 |
500+ | € 0,136 |
1000+ | € 0,128 |
5000+ | € 0,0964 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The NSS60200LT1G is a 4A PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. In the automotive industry it can be used in air bag deployment and in the instrument cluster. The high current gain allows e2PowerEdge devices to be driven directly from PMUs control outputs and the linear gain (Beta) makes it ideal components in analogue amplifiers.
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Improved circuit efficiency
- Decreased battery charge time
- Reduce component count
- High frequency switching
- Smaller portable product
- No distortion
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik, Signalverarbeitung, Tragbare Geräte, Wireless, Unterhaltungselektronik, Computer & Computerperipheriegeräte, Motorantrieb & -steuerung, Kommunikation & Netzwerke
Technische Spezifikationen
PNP
2A
SOT-23
3Pin(s)
100hFE
-
MSL 1 - unbegrenzt
60V
540mW
Oberflächenmontage
100MHz
150°C
AEC-Q101
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat