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NTD25P03LT4G
Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,703 |
| 100+ | € 0,532 |
| 500+ | € 0,498 |
| 1000+ | € 0,464 |
| 5000+ | € 0,430 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTD25P03LT4G
Bestellnummer2101430
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.056ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung75W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
- AEC-Q101 qualified
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
25A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
75W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.056ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00046
Produktnachverfolgung