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NTF3055-100T1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,439 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTF3055-100T1G
Bestellnummer2464128RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.088ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung2.1W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell NTF3055-100T1G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET für Niederspannungs-High-Speed-Anwendungen in Netzteilen, Wandlern und Motorsteuerungen sowie Brückenschaltungen.
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.1W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.088ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NTF3055-100T1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
Produktnachverfolgung