Seite drucken
NTMT150N65S3HF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT150N65S3HF
Bestellnummer3677733RL
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
2 961 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 2,620 |
| 500+ | € 2,480 |
| 1000+ | € 2,430 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
€ 267,00 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT150N65S3HF
Bestellnummer3677733RL
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.121ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.121ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung192W
Verlustleistung Pd192W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.121ohm
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
192W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III FRFET
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
24A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.121ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
192W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000357
Produktnachverfolgung