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NTP190N65S3HF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTP190N65S3HF
Bestellnummer3018974
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,810 |
| 10+ | € 2,360 |
| 100+ | € 1,860 |
| 500+ | € 1,710 |
| 1000+ | € 1,680 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,81 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTP190N65S3HF
Bestellnummer3018974
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.159ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung162W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
162W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.159ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007
Produktnachverfolgung