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NVBG020N120SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG020N120SC1
Bestellnummer3265484
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG020N120SC1
Bestellnummer3265484
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id98A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung468W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der NVBG020N120SC1 ist ein Siliziumkarbid-MOSFET (SiC). Typische Anwendungen umfassen: On-Board-Ladegeräte in Fahrzeugen, Kfz-DC/DC-Wandler für EV/HEV.
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss = 258pF)
- Drain/Source-Spannung: 1200V (TJ = 25°C)
- Kontinuierlicher Drainstrom: 98A (TC = 25°C)
- Verlustleistung: 3.7W (TC = 25°C)
- Stoßdrainstrombelastbarkeit, Einzelimpuls: 807A (TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7 Ohm)
- Sperrschichttemperatur, Betrieb und Lagerung: -55°C bis +175°C
- Bauform D2PAK-7L
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
468W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000024
Produktnachverfolgung