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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L040N65S3F
Bestellnummer3588883
ProduktpaletteSuperFET III FRFET
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 9,820 |
5+ | € 9,800 |
10+ | € 9,770 |
50+ | € 6,400 |
100+ | € 6,270 |
250+ | € 6,140 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L040N65S3F
Bestellnummer3588883
ProduktpaletteSuperFET III FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id65A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0338ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung446W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET III FRFET
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
65A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
446W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0338ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SuperFET III FRFET
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002