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NVMTS0D6N04CLTXG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 554.5 A, 420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 3,880 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
€ 11.640,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMTS0D6N04CLTXG
Bestellnummer3616753
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id554.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand420µohm
Bauform - TransistorDFNW
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung245.4W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
554.5A
Bauform - Transistor
DFNW
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
245.4W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
420µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung