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NVTFS9D6P04M8LTAG
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | € 0,678 |
| 1000+ | € 0,597 |
| 5000+ | € 0,520 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVTFS9D6P04M8LTAG
Bestellnummer3367872RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorWDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung75W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
64A
Bauform - Transistor
WDFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
75W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung