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NXH040P120MNF1PTG
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH040P120MNF1PTG
Bestellnummer3973634
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.042ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins18Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.81V
Verlustleistung74W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.042ohm
Anzahl der Pins
18Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.81V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
74W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung