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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerPZT2222AT1G
Bestellnummer2317865
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung1.5W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The PZT2222AT1G is a NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor designed for use in linear and switching and medium power surface mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. The SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints.
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
1.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für PZT2222AT1G
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004721
Produktnachverfolgung