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PZT751T1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 200+ | € 0,237 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerPZT751T1G
Bestellnummer2317591
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauer-Kollektorstrom2A
Verlustleistung800mW
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz75MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
800mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
75MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000251
Produktnachverfolgung