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SS8050CBU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 1.5 A, 1 W, TO-226AA, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,287 |
| 100+ | € 0,168 |
| 500+ | € 0,150 |
| 1000+ | € 0,147 |
| 5000+ | € 0,144 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSS8050CBU
Bestellnummer2454120
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Dauer-Kollektorstrom1.5A
Verlustleistung1W
Bauform - TransistorTO-226AA
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The SS8050CBU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in 2W output amplifier of portable radios in Class B push-pull operation.
- Complimentary to SS8550
Anwendungen
HF-Kommunikation, Tragbare Geräte, Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
1.5A
Bauform - Transistor
TO-226AA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
1W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000544
Produktnachverfolgung