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BC847AWT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0286 |
| 9000+ | € 0,022 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC847AWT1G
Bestellnummer4319759
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.110hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
110hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung