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BSS84LT1G
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 µA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 15000+ | € 0,0391 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBSS84LT1G
Bestellnummer2440821
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id130µA
Drain-Source-Durchgangswiderstand10ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung225mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.
Anwendungen
Kommunikation & Netzwerke, Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
130µA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
225mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
10ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSS84LT1G
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung