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FDD5N50NZFTM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.7 A, 1.47 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD5N50NZFTM
Bestellnummer3368733RL
ProduktpaletteUniFET II FRFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD5N50NZFTM
Bestellnummer3368733RL
ProduktpaletteUniFET II FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.47ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung62.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteUniFET II FRFET
Qualifikation-
Alternativen für FDD5N50NZFTM
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.7A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
62.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.47ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
UniFET II FRFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009072
Produktnachverfolgung