FDN5630
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,456 |
| 50+ | € 0,360 |
| 100+ | € 0,230 |
| 500+ | € 0,176 |
| 1500+ | € 0,145 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FDN5630 handelt es sich um einen 60V-n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Der neueste Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.
- Niedrige Gate-Ladung
- Optimiert zur Verwendung in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern
Technische Spezifikationen
n-Kanal
1.7A
SuperSOT
10V
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
0.1ohm
Oberflächenmontage
2.4V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FDN5630
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat