FDT439N

FDT439N ist ein für 2.5V spezifizierter 30V-n-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dieser Prozess wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine hervorragende Schaltleistung bereitzustellen. Der Baustein eignet sich gut für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen. Der UniFET™-Hochspannungs-MOSFET basiert auf der fortschrittlichen Planar-Stripe- und DMOS-Technologie. Darüber hinaus können die UniFET II-MOSFETs dank einer internen Gate-Source-ESD-Diode einer Stoßspannung von über 2kV HBM standhalten. Der Baustein eignet sich für Schaltwandleranwendungen wie PFC-Schaltungen, FPD-TV, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.

• Verbesserung bei Schaltverlusten
• Geringere Leitungsverluste
• 100% Avalanche-getestet
• Niedrigere gespeicherte Energie bei dynamischen Eigenschaften
• Niedrigere Gate-Ladung (Qg)
• Verbesserte Systemzuverlässigkeit in PFC- und sanft schaltenden Topologien