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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGA25N120ANTDTU
Bestellnummer1095025
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGA25N120ANTDTU
Bestellnummer1095025
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom25A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.5V
Verlustleistung312W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-3P
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Produktbeschreibung
The FGA25N120ANTD is a 1200V, 25A NPT Trench IGBT in through hole TO-3P package. IGBT offers superior conduction, switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application.
- Collector emitter voltage VCES is 1.2KV
- Collector current at 25°C is 50A
- Diode continuous forward current at 25°C is 50A
- Operating junction temperature range from - 55°C to 150°C
- Maximum power dissipation at 25°C is 312W
- Collector to emitter saturation voltage is 2.65V at IC = 50 A
- Maximum diode forward voltage is 3V at IF = 25A
- Diode peak reverse recovery current is 40A
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
25A
Verlustleistung
312W
Bauform - Transistor
TO-3P
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
Compute Module 3+ Series
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (4)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005433
Produktnachverfolgung