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FGHL50T65MQDT
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,600 |
| 10+ | € 5,520 |
| 100+ | € 3,190 |
| 500+ | € 2,280 |
| 1000+ | € 2,090 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGHL50T65MQDT
Bestellnummer3929765
Technisches Datenblatt
Kontinuierlicher Kollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung268W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kontinuierlicher Kollektorstrom
80A
Verlustleistung
268W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00542
Produktnachverfolgung