Seite drucken
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQPF11P06
Bestellnummer3368823
ProduktpaletteQFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorTO-220F
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung30W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteQFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.6A
Bauform - Transistor
TO-220F
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
30W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002