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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFZT649
Bestellnummer2453345RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Dauer-Kollektorstrom3A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz150MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.15hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FZT649 ist ein NPN-Bipolartransistor mit hoher Stromverstärkung und niedriger Sättigungsspannung mit dauerhaften Kollektorströmen von bis zu 3A.
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
15hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
150MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FZT649
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000397
Produktnachverfolgung