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MMBF4392LT1G
JFET-Transistor, JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,0735 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBF4392LT1G
Bestellnummer2442046
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.75mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.25mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBF4392LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
- 30VDC Drain-source voltage
- 30VDC Drain-gate voltage
- 30VDC Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
25mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
75mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung