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NST65010MW6T1G
Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,059 |
| 9000+ | € 0,055 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNST65010MW6T1G
Bestellnummer4319714
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach pnp
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP100mA
Verlustleistung, NPN-
Verlustleistung, PNP380mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.220hFE
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN-
Übergangsfrequenz, PNP100MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach pnp
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
100mA
Verlustleistung, PNP
380mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
220hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
100MHz
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
-
Verlustleistung, NPN
-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
-
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung