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NSVF6003SB6T1G
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVF6003SB6T1G
Bestellnummer2775449RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz7GHz
Verlustleistung800mW
Dauerkollektorstrom150mA
Bauform - TransistorCPH
Anzahl der Pins6Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
7GHz
Dauerkollektorstrom
150mA
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
800mW
Bauform - Transistor
CPH
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003