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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG040N120M3S
Bestellnummer4294123
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 24 Woche(n)
Lieferkosten: € 25,00 pro Bestellung. Lieferzeit von 3 Werktagen für vorrätige Artikel.
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,180 |
| 10+ | € 6,890 |
| 25+ | € 6,500 |
| 50+ | € 6,100 |
| 100+ | € 5,720 |
| 250+ | € 5,520 |
| 500+ | € 5,340 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 9,18 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG040N120M3S
Bestellnummer4294123
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id51A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.052ohm
Bauform - TransistorD2PAK-7L
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.4V
Verlustleistung329W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.052ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
D2PAK-7L
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
329W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001743
Produktnachverfolgung