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NTMTS1D6N10MCTXG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 7,470 |
| 50+ | € 6,580 |
| 100+ | € 5,560 |
| 250+ | € 5,230 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMTS1D6N10MCTXG
Bestellnummer3787298RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id273A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00142ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.00142ohm
Bauform - TransistorDFNW
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung291W
Verlustleistung Pd291W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
100V, 273A, 1.7mohm single N-channel power MOSFET, This N-channel PTNG 100V MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Typical applications include motor control, DC-DC converters, battery management/protection, power tools, E-scooters, drones, battery packs/ energy storage units, telecom, netcom and power supplies.
- Very low RDS(on), shielded gate trench technology minimize conduction losses
- Low profile PQFN 8x8 package, small footprint (8x8 mm) for compact design
- Maximum junction temperature of 175°C
- Soft body diode with low Qrr, reduces switching spike
- High peak current and low parasitic inductance
- Offers a wider design margin for thermally challenged applications
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00142ohm
Bauform - Transistor
DFNW
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
291W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
273A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.00142ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung Pd
291W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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