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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH350N100H4Q2F2S1G
Bestellnummer3929807
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 161,930 |
5+ | € 158,690 |
10+ | € 155,450 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH350N100H4Q2F2S1G
Bestellnummer3929807
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationViererpack
Dauer-Kollektorstrom303A
DC-Kollektorstrom303A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.63V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.63V
Verlustleistung592W
Verlustleistung Pd592W
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1kV
IGBT-TechnologieIGBT [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Viererpack
DC-Kollektorstrom
303A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.63V
Verlustleistung Pd
592W
Betriebstemperatur, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Kollektorstrom
303A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.63V
Verlustleistung
592W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1kV
IGBT-Technologie
IGBT [Trench/Feldstop]
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung