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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH80T120L3Q0S3G
Bestellnummer3929816
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH80T120L3Q0S3G
Bestellnummer3929816
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationZweifach [Halbbrücke]
Dauer-Kollektorstrom75A
DC-Kollektorstrom75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.7V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Verlustleistung Pd188W
Verlustleistung188W
Betriebstemperatur, max.175°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötstift
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom
75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Verlustleistung
188W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötstift
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Kollektorstrom
75A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.7V
Verlustleistung Pd
188W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
IGBT [Trench/Feldstop]
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung