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QRD1114

Name: Reflexlichtschranke, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1.27mm, 50mA, 5Vr, 1.7Vf
Brand: ONSEMI
SKU: 1467858
Availability: InStock

Reflexlichtschranke, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1.27mm, 50mA, 5Vr, 1.7Vf

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerQRD1114

Bestellnummer1467858

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerQRD1114

Bestellnummer1467858

Technisches Datenblatt

Data Sheet

MessmethodeReflektiv

Messabstand / Gabelweite-

Erfassungsabstand1.27mm

Versorgungsspannung, min.-

Versorgungsspannung, max.-

Durchlassstrom If50mA

Sperrspannung, Vr5V

Sensorgehäuse/-bauformModul

Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo30V

Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V

Durchlassspannung1.7V

Kollektorstrom Ic, max.1mA

SensorausgangFototransistor

IP-Schutzart-

SensormontageDurchsteckmontage

Betriebstemperatur, min.-40°C

Betriebstemperatur, max.85°C

Produktpalette-

Qualifikation-

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

QRD1114 ist eine Reflexlichtschranke, die aus einer Infrarot emittierenden Diode und einem NPN-Silizium-Photodarlington-Transistor besteht, die nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert sind. Die Strahlungsachse des Emitters und die Reaktionsachse des Detektors verlaufen senkrecht zur Fläche des Sensors QRD1114. Der Photodarlington-Transistor reagiert nur dann auf die von der Diode emittierte Strahlung, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Fläche im Blickfeld des Detektors befindet.

Fototransistor-Ausgang
Kontaktlose Oberflächenmessung
Unscharf zur Erfassung von diffus reflektierenden Oberflächen
Sensor verfügt über Tageslichtfilter

Anwendungen

Automatisierung & Prozesssteuerung, Gebäudeautomatisierung, Medizinelektronik, Messtechnik

Technische Spezifikationen

Messmethode

Reflektiv

Erfassungsabstand

1.27mm

Versorgungsspannung, max.

Sperrspannung, Vr

Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo

30V

Durchlassspannung

1.7V

Sensorausgang

Fototransistor

Sensormontage

Durchsteckmontage

Betriebstemperatur, max.

85°C

Qualifikation

Messabstand / Gabelweite

Versorgungsspannung, min.

Durchlassstrom If

50mA

Sensorgehäuse/-bauform

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung, max.

30V

Kollektorstrom Ic, max.

1mA

IP-Schutzart

Betriebstemperatur, min.

-40°C

Produktpalette

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Technische Dokumente (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85423990

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000318

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