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Menge | |
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100+ | € 2,440 |
250+ | € 2,190 |
500+ | € 2,020 |
1000+ | € 1,950 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Der HIP2101IBZT ist ein für 100V und hohe Frequenzen ausgelegter Halbbrückentreiber-IC, der als n-Kanal-Leistungs-MOSFET ausgeführt ist. Der Baustein ist äquivalent zum HIP2100, bietet jedoch den zusätzlichen Vorteil, dass seine Logik-Eingangspins vollständig TTL/CMOS-kompatibel sind. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden separat gesteuert und auf 13ns abgestimmt. Damit besteht volle Kontrolle über die Totzeit für spezifische Schaltungstopologien. Für beide Versorgungsspannungen, Low-Side als auch High-Side, gibt es eine Unterspannungsschutzfunktion, welche die Ausgänge auf Low zwingt. Dank chipinterner Diode wird keine diskrete Diode mehr benötigt wie bei anderen Treiber-ICs. Eine neue Pegelumsetzer-Topologie sorgt für sparsamen Stromverbrauch durch Impulsbetrieb mit der Sicherheit von DC-Betrieb. Anders als bei Treibern anderer Hersteller kehrt der High-Side-Ausgang bei diesem Baustein nach kurzzeitiger Unterspannung der High-Side-Versorgung in seinen korrekten Zustand zurück. Typische Anwendungen umfassen: Halbbrücken-Stromversorgungen für Telekommunikation, Luft- und Raumfahrtelektronik, DC/DC-Wandler, Flusswandler mit zwei Schaltern, Flusswandler mit aktiver Spannungsbegrenzung.
- Bootstrap-Versorgungsspannung: max. 114V DC; chipinterne Bootstrap-Diode mit 1 Ohm
- Kurze Laufzeiten für Multi-MHz-Schaltungen; keine Anlaufprobleme
- Mehr Flexibilität dank TTL/CMOS-Schwellenwerten; sparsamer Stromverbrauch
- Separate Eingänge für Nicht-Halbbrücken-Topologien; Unterspannungsschutz für Spannungsversorgung
- Ausgänge nicht betroffen bei Glitches der Stromversorgung, HS-Ringing unter Masse oder HS-Anstieg bei hohem dv/dt
- Ausgangstreiber-Widerstand: 3 Ohm; VDD-Ruhestrom: typ. 0.3mA
- VDD-Betriebsstrom: typ. 1.7mA (f = 500kHz)
- Kurze Ausschalt-Signallaufzeit (LI fallend bis LO fallend): typ. 25ns (TJ = 25°C)
- Temperaturbereich: -40°C bis +125°C
- 8-poliges SOIC-Gehäuse
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
2Kanäle
Halbbrücke
SOIC
SOIC
Nicht invertierend
2A
14V
125°C
25ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Isoliert
MOSFET
8Pin(s)
Oberflächenmontage
2A
9V
-40°C
25ns
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat