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RJH65T14DPQ-A0#T0
IGBT, 100 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, TO-247A, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 575+ | € 6,070 |
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Mehrere: 575
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRJH65T14DPQ-A0#T0
Bestellnummer4307192
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung250W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247A
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
100A
Verlustleistung
250W
Bauform - Transistor
TO-247A
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung