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RMLV0408EGSA-4S2#KA1
SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Bestellnummer4146924RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 10,940 |
| 25+ | € 9,060 |
| 50+ | € 8,130 |
| 100+ | € 7,500 |
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRMLV0408EGSA-4S2#KA1
Bestellnummer4146924RL
Technisches Datenblatt
SRAMAsynchroner SRAM, LPSRAM
Speichergröße4Mbit
Speicherdichte4Mbit
Speicherkonfiguration SRAM512K Wörter x 8 Bit
Speicherkonfiguration512Kword x 8 Bit
Versorgungsspannung2.7V bis 3.6V
Bauform - SpeicherbausteinSTSOP
IC-Gehäuse / BauformSTSOP
Anzahl der Pins32Pin(s)
Zugriffszeit45ns
Versorgungsspannung, min.2.7V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.3V
Taktfrequenz, max.-
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Technische Spezifikationen
SRAM
Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherdichte
4Mbit
Speicherkonfiguration
512Kword x 8 Bit
Bauform - Speicherbaustein
STSOP
Anzahl der Pins
32Pin(s)
Versorgungsspannung, min.
2.7V
Versorgungsspannung, nom.
3V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Speichergröße
4Mbit
Speicherkonfiguration SRAM
512K Wörter x 8 Bit
Versorgungsspannung
2.7V bis 3.6V
IC-Gehäuse / Bauform
STSOP
Zugriffszeit
45ns
Versorgungsspannung, max.
3.6V
Taktfrequenz, max.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001