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RMLV0808BGSB-4S2#AA0
SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRMLV0808BGSB-4S2#AA0
Bestellnummer2946682
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 21,670 |
| 10+ | € 18,960 |
| 25+ | € 15,710 |
| 50+ | € 14,080 |
| 100+ | € 13,000 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 21,67 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRMLV0808BGSB-4S2#AA0
Bestellnummer2946682
Technisches Datenblatt
SRAMAsynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherdichte8Mbit
Speicherkonfiguration1M x 8 Bit
IC-Gehäuse / BauformTSOP-II
Anzahl der Pins44Pin(s)
Versorgungsspannung, min.2.4V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.3V
Taktfrequenz, max.-
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
SRAM
Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration
1M x 8 Bit
Anzahl der Pins
44Pin(s)
Versorgungsspannung, max.
3.6V
Taktfrequenz, max.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Speicherdichte
8Mbit
IC-Gehäuse / Bauform
TSOP-II
Versorgungsspannung, min.
2.4V
Versorgungsspannung, nom.
3V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004