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TP65H030G4PQS-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H030G4PQS-TR
Bestellnummer4680966RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
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| Menge | |
|---|---|
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| 250+ | € 9,490 |
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H030G4PQS-TR
Bestellnummer4680966RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id55.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Gate-Ladung, typ.24.5nC
Bauform - TransistorTOLL
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins9Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Bauform - Transistor
TOLL
Anzahl der Pins
9Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
55.7A
Gate-Ladung, typ.
24.5nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung