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TP65H070G4LSGEA-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4LSGEA-TR
Bestellnummer4680963
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 22 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,420 |
| 10+ | € 5,660 |
| 100+ | € 4,890 |
| 500+ | € 4,460 |
| 1000+ | € 4,010 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 6,42 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4LSGEA-TR
Bestellnummer4680963
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.085ohm
Gate-Ladung, typ.11.9nC
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.085ohm
Bauform - Transistor
PQFN
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
29A
Gate-Ladung, typ.
11.9nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung