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2SAR554PHZGT100
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
Herstellerteilenummer2SAR554PHZGT100
Bestellnummer3580382
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauer-Kollektorstrom1.5A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz340MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
1.5A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
340MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726