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GNP1150TCA-ZE2
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerGNP1150TCA-ZE2
Bestellnummer4179927RL
ProduktpaletteEcoGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 2,550 |
| 500+ | € 2,340 |
| 1000+ | € 2,280 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerGNP1150TCA-ZE2
Bestellnummer4179927RL
ProduktpaletteEcoGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.15ohm
Gate-Ladung, typ.2.7nC
Bauform - TransistorDFN8080AK
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteEcoGaN Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.15ohm
Bauform - Transistor
DFN8080AK
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
11A
Gate-Ladung, typ.
2.7nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
EcoGaN Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung