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HP8KB5TB1
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
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| 10+ | € 1,240 |
| 100+ | € 0,825 |
| 500+ | € 0,676 |
| 1000+ | € 0,592 |
| 5000+ | € 0,537 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerHP8KB5TB1
Bestellnummer4633516
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal16.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.046ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorHSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal20W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.046ohm
Bauform - Transistor
HSOP
Verlustleistung, n-Kanal
20W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung