IMZ1AT108
Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,458 |
| 10+ | € 0,289 |
| 100+ | € 0,187 |
| 500+ | € 0,139 |
| 1000+ | € 0,100 |
| 5000+ | € 0,0993 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Kommunikation & Netzwerke, Tragbare Geräte, Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
NPN, PNP
50V
150mA
300mW
120hFE
6Pin(s)
150°C
140MHz
-
No SVHC (23-Jan-2024)
50V
150mA
300mW
120hFE
SOT-457
Oberflächenmontage
180MHz
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat